1.51 Площа обкладок плоского конденсатора S = 0,01 м^2, відстань між ними d = 10 мм. Конденсатор заряджено до напруги U1 = 300 В. Простір між пластинами заповнено скляною пластинкою, товщина якої d1 = 5 мм, і ε1 = 6, а також парафіновою пластинкою товщина якої d2 = 5 мм, і ε2 = 2. Знайти напруженість поля і різницю потенціалів у кожному шарі діелектрика, а також ємність конденсатора і поверхневу густину зарядів на обкладках. (15 кВ/м; 45 кВ/м; 75 В; 225 В; 26,6 лФ; 0,8 мкКл/м^2)

  • 1.51 Площа обкладок плоского конденсатора S = 0,01 м^2, відстань між ними d = 10 мм. Конденсатор заряджено до напруги U1 = 300 В. Простір між пластинами заповнено скляною пластинкою, товщина якої d1 = 5 мм, і ε1 = 6, а також парафіновою пластинкою товщина якої d2 = 5 мм, і ε2 = 2. Знайти напруженість поля і різницю потенціалів у кожному шарі діелектрика, а також ємність конденсатора і поверхневу густину зарядів на обкладках. (15 кВ/м; 45 кВ/м; 75 В; 225 В; 26,6 лФ; 0,8 мкКл/м^2)
2016
1 сторінок
5 раз
1704 раз
Невідомо
7440
Viktor

28₴

З чого складається сума:

Чиста ціна: 28₴

Комісія сервісу: 0₴

Опис

1.51 Площа обкладок плоского конденсатора S = 0,01 м2, відстань між ними d = 10 мм. Конденсатор заряджено до напруги U1 = 300 В. Простір між пластинами заповнено скляною пластинкою, товщина якої d1 = 5 мм, і ε1 = 6, а також парафіновою пластинкою товщина якої d2 = 5 мм, і ε2 = 2. Знайти напруженість поля і різницю потенціалів у кожному шарі діелектрика, а також ємність конденсатора і поверхневу густину зарядів на обкладках. (15 кВ/м; 45 кВ/м; 75 В; 225 В; 26,6 лФ; 0,8 мкКл/м2)